Жорес алферов нобелевская премия за что. Голые короли
Родился в Витебске в 1930 г. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L’Humanite и лидера французской социалистической партии.
Окончил с золотой медалью школу и в 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (ЛЭТИ).
С 1953 г. работал в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках. В 1971 г. был удостоен первой международной награды - золотой медали Стюарта Баллантайна Франклиновского института (США), получившей название малой нобелевской премии.
Королевская Академия Наук Швеции присудила Жоресу И. Алферову Нобелевскую премию по физике за 2000 год - за труды, заложившие основы современной информационной техники - за развитие полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Развитие волоконно-оптической связи, интернета, солнечной энергетики, мобильной телефонии, светодиодной и лазерной техники в значительной степени основано на исследованиях и открытиях Ж.И Алферова.
Так же выдающийся вклад Ж.И. Алферова отмечен многочисленными международными и отечественными премиями и наградами: Ленинской и Государственной премиями (СССР), золотой медалью Велькера (ФРГ), премией Киото (Япония), премией А.Ф. Иоффе, золотой медалью Попова (РАН), Государственной премией РФ, Демидовской премией, премией «Глобальная энергия» (Россия), премией и золотой медалью К. Бойера (США, 2013 г.) и множеством других.
Ж.И. Алферов избран почетным и иностранным членом более 30 зарубежных академий наук и научных обществ, в том числе национальных академий наук: Италии, Испании, Китая, Кореи и многих других. Единственный из российских ученых, кто одновременно был избран иностранным членом Национальной Академии наук США и Национальной инженерной академии наук США. Более 50 университетов из 20 стран избрали его почетным доктором и профессором.
Ж.И. Алферов - полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», отмечен государственными наградами СССР, Украины, Белоруссии, Кубы, Франции, Китая.
С 1990 г. - вице-президент АН СССР, с 1991 г. - вице-президент РАН. Является одним из виднейших организаторов академической науки в России и активным сторонником создания образовательных центров на базе ведущих институтов РАН. В 1973 году при ФТИ им была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники в ЛЭТИ. Был директором (1987-2003 г.) и научным руководителем (2003-2006 г.) ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 1988 г. деканом созданного им Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В 2002 г. создал Академический физико-технологический университет - первое высшее учебное заведение, входящее в систему РАН. В 2009 г. к университету был присоединён созданный им в 1987 г. на базе ФТИ Лицей «Физико-техническая школа» и Научный центр нанотехнологий и организован Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательным центр нанотехнологий РАН (в 2010 г. получил статус Национального исследовательского университета), в котором стал ректором. Создал собственную научную школу: среди его учеников более 50 кандидатов, десятки докторов наук, 7 членов-корреспондентов РАН. С 2010 г. - сопредседатель вместе с Нобелевским лауреатом Роджером Корнбергом (США) Научно-консультативного совета фонда «Сколково».
В феврале 2001 г. создал Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд), вложив в него значительную часть своей Нобелевской премии. Первая благотворительная программа фонда - «Установление пожизненной материальной помощи вдовам академиков и членов-корреспондентов РАН, работавших в Санкт-Петербурге». Фонд учредил стипендии учащимся российских школ и лицеев, студентам и аспирантам вузов, премии и гранты молодым ученым. В ряде стран находятся представительства и самостоятельные фонды поддержки образования и науки, учрежденные Ж.И. Алферовым и созданные при его содействии: в Республике Беларусь, в Казахстане, в Италии, на Украине, в Азербайджане.
- (р. 1930), физик, академик (1979), вице президент (с 1990) РАН. Председатель Президиума Санкт Петербургского научного центра РАН (с 1989). Труды по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе. Ленинская премия (1972), Государственная … Энциклопедический словарь
- (р. 15.3.1930, Витебск), советский физик, член корреспондент АН СССР (1972). Член КПСС с 1965. Окончил (1952) Ленинградский электротехнический институт. С 1952 работает в Физико техническом институте АН СССР. С 1972 профессор Ленинградского… … Большая советская энциклопедия
- … Википедия
Алфёров, Жорес Иванович - (р. 1930) академик РАН (1979), вице президент РАН (с 1990), почетный член РАО (2001; Отделение среднего образования); председатель Президиума Ленинградского (С. Петербургского) научного центра РАН (с 1989), директор физико технического… … Педагогический терминологический словарь
Алфёров русская фамилия. Известные носители Алфёров, Андрей Александрович артист балета, заслуженный артист России (1996). Алфёров, Александр Данилович (1862 1919) русский учитель, методист русского языка. Алфёров, Александр… … Википедия
Жорес Иванович (род. 1930), физик, академик РАН (1979). Вице президент РАН (с 1990). Председатель Президиума Ленинградского (Санкт Петербургского) научного центра РАН (с 1989). Труды по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе.… … Русская история
Алфёров Ж. И. - АЛФЁРОВ Жорес Иванович (р. 1930), физик, акад. РАН (1979). Вице през. РАН (с 1990). Пред. Президиума Ленингр. (С. Петерб.) науч. центра РАН (с 1989). Тр. по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе. Лен. пр. (1972), Гос. пр. СССР… … Биографический словарь
Во время посещения Владимиром Путиным и Герхардом Шредером Научно образовательного центра Физико технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, 10 апреля 2001 года Дата рождения: 15 марта 1930(19300315) … Википедия
Жорес Иванович Алфёров Во время посещения Владимиром Путиным и Герхардом Шредером Научно образовательного центра Физико технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, 10 апреля 2001 года Дата рождения: 15 марта 1930(19300315) … Википедия
Книги
- Наука и общество , Алферов Жорес Иванович. В книге представлены воспоминания, интервью и публичные выступления выдающегося ученого и общественного деятеля академика Ж. И. Алфёрова. Открывается книга разделом, посвященным присуждению и…
АЛФЁРОВ ЖОРЕС ИВАНОВИЧ
(р. в 1930 г.)
Знаменитый советский и российский ученый Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в городе Витебске (тогда еще в Белорусской ССР).
Его родители были коренными белорусами. Отец будущего ученого, Иван Карпович Алфёров, сменил множество профессий.
Во время Первой мировой войны он воевал, был гусаром, унтер-офицером лейб-гвардии. За свою храбрость был представлен к награждению, став дважды Георгиевским кавалером.
В сентябре 1917 года старший Алфёров вступил в партию большевиков, а спустя некоторое время перешел на хозяйственную работу. С 1935 года отец Жореса занимал различные руководящие должности на военных заводах СССР. Он работал директором завода, комбината, начальником треста. Из-за специфики работы отца семья часто переезжала с места на место. Маленькому Алфёрову довелось увидеть Сталинград, Новосибирск, Барнаул, Сясьстрой под Ленинградом, Туринск Свердловской области, полуразрушенный Минск.
Мать мальчика, Анна Владимировна, работала в библиотеке, в отделе кадров, а большую часть времени была домохозяйкой.
Родители будущего ученого были заядлыми коммунистами. Своего старшего сына они назвали Марксом (в честь Карла Маркса), а младший получил имя Жорес (в честь Жана Жореса, основателя французской социалистической партии, идеолога и основателя газеты «Юманите»).
Детские воспоминания Жореса часто связаны с его старшим братом. Маркс помогал мальчику в учебе, никогда не давал его в обиду. После окончания школы и нескольких месяцев учебы в Уральском индустриальном институте он бросил все и ушел на фронт – защищать Родину. В возрасте 20 лет младший лейтенант Маркс Алфёров был убит.
Начальное образования Жорес получил в Сясьстрое. 9 мая 1945 года отец мальчика получил назначение в Минск, куда вскоре переехала и семья. В Минске Жореса определили учиться в единственную не разрушенную в городе 42-ю среднюю школу, которую он окончил в 1948 году с золотой медалью.
Учителем физики в 42-й школе был знаменитый Я. Б. Мельцерзон. Несмотря на отсутствие физического кабинета, преподавателю удалось привить любовь и интерес школьников к своему предмету. Заметив талантливого мальчика, Яков Борисович всячески помогал ему в учебе. После окончания школы учитель порекомендовал Алфёрову ехать в Ленинград и поступать в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ленина (ЛЭТИ).
На молодого Алфёрова физические уроки действовали магнетически. Особенно его заинтересовал рассказ учителя о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации, так что мальчик после школы уже твердо знал, кем он хочет быть. Он поступил в ЛЭТИ на специальность «электровакуумная техника» факультета электронной техники (ФЭТ). В то время институт был одним из «пилотных» вузов в области отечественной электроники и радиотехники.
На третьем курсе способного студента взяли на работу в вакуумную лабораторию профессора Б. П. Козырева, где молодой Алфёров начал свою первую экспериментальную работу под руководством Натальи Николаевны Созиной. Позже Алфёров очень тепло отзывался о своем первом научном руководителе. Незадолго до прихода в институт Жореса она сама защитила диссертационную работу по исследованию полупроводниковых фотоприемников в инфракрасной области спектра и всячески помогала в исследованиях Жореса Алфёрова.
Атмосфера в лаборатории, процесс исследования очень нравились студенту, и он решил стать профессиональным физиком. Особенно Жореса заинтересовало изучение полупроводников. Под руководством Созиной Алфёров написал дипломную работу, посвященную получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута.
В 1952 году Алфёров окончил ЛЭТИ и решил продолжить научные исследования в заинтересовавшей его области физики. При распределении выпускников на работу Алфёрову улыбнулась удача: он отказался остаться в ЛЭТИ и был принят в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ЛФТИ).
В то время настольной книгой молодого ученого была монография Абрама Федоровича Иоффе «Основные представления современной физики». Распределение в Физтех было одним из самых счастливых моментов в жизни знаменитого ученого, определившее его дальнейший путь в науке.
К моменту прихода молодого специалиста в институт светило советской науки, директор ЛФТИ Абрам Федорович Иоффе уже ушел со своего поста. «Под Иоффе» была образована лаборатория полупроводников при Президиуме АН СССР, куда выдающийся ученый пристроил почти всех лучших физиков – исследователей полупроводниковой области. Молодому ученому повезло во второй раз – он был откомандирован в эту лабораторию.
Великий А. Ф. Иоффе был пионером полупроводниковой науки в целом и основоположником отечественных разработок в этой области. Именно благодаря ему Физтех стал центром полупроводниковой физики.
В 1930-е годы в Физтехе проводились различные исследования, ставшие фундаментальными основами новой области физики. Среди таких работ следует особенно выделить совместный труд Иоффе и Френкеля 1931 года, в котором ученые описали туннельный эффект в полупроводниках, а также работу Жузе и Курчатова по собственной и примесной проводимости полупроводников.
Однако после серии успешных работ Иоффе заинтересовался ядерной физикой, другие гениальные физики занимались иными близкими им областями науки, так что развитие физики полупроводников несколько замедлилось. Кто знает, как бы развивались дальше дела, если бы в 1947 году американским ученым не удалось добиться транзисторного эффекта на точечном транзисторе. В 1949 году уже был изготовлен первый транзистор с p-n -переходами.
В начале 1950-х годов советское правительство поставило институту конкретную задачу – разработать современные полупроводниковые приборы, которые можно было бы использовать в отечественной промышленности. Лаборатория полупроводников должна была получить монокристаллы чистого германия и на их основе создать плоскостные диоды и триоды. Способ массового промышленного производства транзисторов американские ученые предложили в ноябре 1952 года, теперь очередь была за советскими учеными.
Молодой ученый оказался в самом эпицентре научных разработок. Ему довелось участвовать в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей и т. д.
Задание советского правительства лаборатория Тучкевича выполнила на «отлично». Жорес Алфёров принимал активное участие в разработках. Уже 5 марта 1953 года он сделал первый транзистор, который справлялся с нагрузками и хорошо показал себя в работе. В 1959 году за комплекс проведенных работ Жорес Алфёров получил правительственную награду.
В 1960 году вместе с другими учеными Жорес отправился на международную конференцию по физике полупроводников в Прагу. Среди знаменитых ученых там присутствовали Абрам Иоффе и Джон Бардин, представитель знаменитой троицы Бардин – Шокли – Браттейн, создавшей в 1947 году первый транзистор. После посещения конференции Алфёров еще больше заинтересовался научными исследованиями.
В следующем году Жорес Алфёров защитил свою кандидатскую работу, посвященную созданию и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей, и был удостоен степени кандидата технических наук. Фактически эта работа подвела итог его десятилетних исследований в данной области науки.
Особенных раздумий, какую область физики выбрать для дальнейших исследований, у него не было – он уже серьезно работал над получением полупроводниковых гетероструктур и исследованием гетеропереходов. Алфёров понимал, что если ему удастся создать совершенную структуру – это будет настоящий скачок в физике полупроводников.
В то время сформировалась отечественная силовая полупроводниковая электроника. Долгое время ученым не удавалось разработать приборы, основанные на гетеропереходах, из-за трудности создания перехода, близкого к идеальному.
Алфёров показал, что в таких разновидностях p-n -переходов, как р-i-n, р-n-n + в полупроводниковых гомоструктурах, при рабочих плотностях тока, ток в пропускном направлении определяется рекомбинацией в сильно легированных р и n(n +) областях структур. При этом средняя i(n) область гомоструктуры не является главной.
При работе над полупроводниковым лазером молодой ученый предложил использовать преимущества двойной гетероструктуры типа p-i-n (р-n-n +, n-p-p +) . Заявка на авторское свидетельство Алфёрова была засекречена, гриф секретности был снят только после того, как американский ученый Кремер опубликовал подобные выводы.
В возрасте 30 лет Алфёров уже был одним из ведущих специалистов в области полупроводниковой физики в Советском Союзе. В 1964 году его пригласили принять участие в международной конференции по физике полупроводников, проводившейся в Париже.
Через два года Жорес Алфёров сформулировал общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктурах.
В 1967 году Алфёров был избран заведующим лабораторией ЛФТИ. Работа над исследованиями гетероструктур шла полным ходом. Советские ученые пришли к выводу, что реализовать основные преимущества гетероструктуры возможно лишь после получения гетероструктуры типа Alx Ga1-x As.
В 1968 году стало ясно, что не одни советские физики работают над этим исследованием гетероструктур. Оказалось, что Алфёров и его команда всего лишь на месяц опередили исследователей из лаборатории IBM в своем открытии гетероструктуры типа Alx Ga1-x As. Кроме IBM в исследовательской гонке приняли участие такие монстры электроники и полупроводниковой физики, как компании Bell Telephone и RCA.
В лаборатории Н. А. Горюновой удалось подобрать новый вариант гетероструктуры – тройное соединение AlGaAs, что позволило определить популярную на сегодня в электронном мире гетеропару GaAs/AlGaAs.
К концу 1969 года советские ученые во главе с Алфёровым реализовали практически все возможные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид галлия – арсенид алюминия.
Кроме создания гетероструктуры, близкой по своим свойствам к идеальной модели, группа ученых под руководством Алфёрова создала первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Конкуренты из Bell Telephone и RCA предложили лишь более слабые варианты, базирующиеся на использовании в лазерах одиночной гетероструктуры p AlGaAs-p GaAs.
В августе 1969 года Алфёров совершил первую свою поездку в США на Международную конференцию по люминесценции в Ньюарке, штат Делавер. Ученый не отказал себе в удовольствии и выступил с докладом, в котором упомянул характеристики созданных лазеров на основе AlGaAs. Эффект от доклада Алфёрова превысил все ожидания – американцы намного отстали в своих исследованиях, и только специалисты из Bell Telephone спустя несколько месяцев повторили успех советских ученых.
На основе разработанной в 1970-х годах Алфёровым технологии высокоэффективных и радиационностойких солнечных элементов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs в Советском Союзе впервые в мире было организовано массовое производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Когда подобные работы опубликовали американские ученые, советские батареи уже много лет использовались для различных целей. В частности, одна из таких батарей была установлена в 1986 году на космической станции «Мир». В течение многих лет эксплуатации она работала без существенного снижения мощности.
В 1970 году на основе идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP (предложенных Алфёровым) были сконструированы полупроводниковые лазеры, использующиеся, в частности, как источники излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.
В том же 1970 году Жорес Иванович Алфёров успешно защитил свою докторскую диссертацию, в которой обобщил исследования гетеропереходов в полупроводниках, преимущества использования гетероструктур в лазерах, солнечных батареях, транзисторах и т. д. За эту работу ученому была присуждена степень доктора физико-математических наук.
За небольшой срок Жорес Алфёров добился поистине феноменальных результатов. Его работы привели к бурному развитию волоконно-оптических систем связи. В следующем году ученому была присуждена первая международная награда – золотая медаль Баллантайна Франклиновского института в США (Филадельфия), которую в мире науки называют «малой Нобелевской премией». К 2001 году кроме Алфёрова аналогичной медалью были награждены только три советских физика – П. Капица, Н. Боголюбов и А. Сахаров.
В 1972 году ученый вместе со своими учениками-коллегами был удостоен Ленинской премии. В этом же году Жорес Иванович стал профессором Л ЭТИ, а в следующем – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники ФТИ. В 1988 году Ж. И. Алфёров организовал в Санкт-Петербургском политехническом институте физико-технический факультет и стал его деканом.
Работы Алфёрова 90-х годов XX века были посвящены исследованиям свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
10 октября 2000 года Нобелевский комитет по физике присудил Нобелевскую премию 2000 года Жоресу Ивановичу Алфёрову, Херберту Крёмеру и Джеку Килби за «их базовые работы в области информационных и коммуникационных систем». Конкретно Алфёров и Крёмер получили премию «за разработку полупроводниковых гетероструктур, которые используются в сверхбыстрых микроэлектронных компонентах и оптоволоконной связи».
Своими работами все три лауреата значительно ускорили развитие современной техники, в частности Алфёров и Крёмер открыли и разработали быстрые и надежные опто– и микроэлектронные компоненты, которые сегодня используются в самых различных областях.
Денежную премию в 1 млн долларов ученые разделили между собой в таких пропорциях: Джек Килби за свои работы в области интегральных схем получил половину премии, а другая половина была поровну разделена между Алфёровым и Крёмером.
В своей презентационной речи, произнесенной 10 декабря 2000 года, профессор Шведской королевской академии наук Торд Клесон проанализировал главные достижения трех великих ученых. Свою нобелевскую лекцию Алфёров прочитал 8 декабря 2000 года в Стокгольмском университете на отличном английском языке и без конспекта.
В 1967 году Жорес Алфёров женился на Тамаре Георгиевне Дарской, дочери известного актера. Его жена некоторое время работала под руководством академика В. П. Глушко в Москве. Влюбленные люди около полугода летали друг к другу из Москвы в Ленинград и обратно, пока Тамара не согласилась переехать в Ленинград.
В свободное от науки время ученый интересуется историей Второй мировой войны.
Уже в довольно позднем возрасте Алфёров начал свою карьеру политика. В 1989 году он был избран народным депутатом СССР, входил в Межрегиональную депутатскую группу. После развала Союза он не забросил свою политическую деятельность.
Осенью 1995 года знаменитый ученый был включен в качестве кандидата в общефедеральный список избирательного объединения «Всероссийское общественно-политическое движение “Наш дом – Россия”». По результатам голосования по общефедеральному округу он был избран депутатом российской Государственной думы второго созыва (с 1995 года), а через некоторое время стал членом комитета по образованию и науке (подкомитет по науке).
В 1997 году Алфёров был включен в состав Научного совета Совета безопасности Российской Федерации.
В 1999 году Жорес Иванович был избран депутатом Государственной думы РФ третьего созыва. Ученый был членом фракции КПРФ, наследницы КПСС, в которой Алфёров состоял с 1965 года по август 1991 года. Кроме того, ученый был членом бюро Ленинградского обкома КПСС в 1988–1990 годах, делегатом XXVII съезда КПСС.
В настоящее время Алфёров по-прежнему заядлый коммунист и атеист.
Из-под пера Алфёрова вышло более 350 научных статей, три фундаментальные научные монографии. Он имеет более 100 авторских свидетельств на изобретения. Ученый является главным редактором «Журнала технической физики».
В 1972 году Алфёров был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 году – академиком, в 1990 году он стал вице-президентом АН СССР, в 1991 году – академиком Российской академии наук (РАН) и ныне является ее вице-президентом.
Параллельно Алфёров занимает должности председателя президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН (с 1989 года), директора Центра физики наногетероструктур, председателя Международного фонда им. М. В. Ломоносова для возрождения и развития фундаментальных исследований в области естественных и гуманитарных наук, члена бюро отделения физических наук РАН, члена секции общей физики и астрономии отделения физических наук РАН, директора физико-технического института РАН (с 1987 года).
На всех своих должностях Алфёров занимает активную позицию. Его рабочий график расписан на месяц вперед.
Кроме Нобелевской премии ученый был награжден различными медалями и премиями, среди которых стоит выделить золотую медаль им. Стюарта Баллантайна Франклиновского института (США, 1971), премию «Хьюлетт-Паккард» Европейского физического общества, Международную премию симпозиума по арсениду галлия (1987), золотую медаль X. Велькера (1987), премию им. А. Ф. Иоффе РАН (1996), Общенациональную неправительственную Демидовскую премию РФ (1999), премию Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
Также ученый был удостоен Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984) и Государственной премии Российской Федерации (2002).
Жорес Алфёров награжден многими медалями и орденами СССР и Российской Федерации, среди которых орден «Знак Почета» (1958), орден Трудового Красного Знамени (1975), орден Октябрьской Революции (1980), орден Ленина (1986), медаль «За заслуги перед Отечеством» 3-й степени.
Нобелевский лауреат является активным и почетным членом различных научных обществ, академий и университетов, среди которых Национальная инженерная академии США (1990), Национальная академия наук США (1990), Академия науки и технологии Кореи (1995), Франклиновский институт (1971), Академия наук Республики Беларусь (1995), Гаванский университет (1987), Оптическое общество США (1997), Санкт-Петербургский гуманитарный университет профсоюзов (1998).
В 2005 году на территории Санкт-Петербургского гуманитарного университета профсоюзов был установлен бронзовый бюст Жореса Алфёрова. Прижизненное открытие бюста было приурочено к 75-летнему юбилею ученого.
Знаменитый ученый является учредителем Фонда поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Алфёров первым сделал вклад в Фонд, использовав часть средств своей Нобелевской премии.
В своей автобиографии, подготовленной для нобелевского сайта, ученый вспоминает прекрасную книгу Каверина «Два капитана», которую он прочитал еще 10-летним мальчиком. С того времени он всю жизнь следует жизненным принципам одного из главных героев книги Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться».
Данный текст является ознакомительным фрагментом. Из книги Скандалы советской эпохи автора Раззаков Федор1930 «Земля» не для бедного (Александр Довженко) Классик советского и мирового кинематографа Александр Довженко на протяжении своего долгого творческого пути (а он проработал в кино более 30 лет) неоднократно подвергался критике на страницах прессы. Один из первых громких
Из книги 1991: измена Родине. Кремль против СССР автора Сирин ЛевЖорес Алферов Алферов Жорес Иванович – лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто– и микроэлектронных компонентов. Родился 15 марта 1930 г. в Витебске. Академик РАН и депутат Госдумы. – Сегодня
Из книги Французская волчица - королева Англии. Изабелла автора Уир Элисон1930 Грей: Scalacronica.
Из книги Матрица Скалигера автора Лопатин Вячеслав АлексеевичФёдор Иванович? Иван Иванович Молодой 1557 Рождение у Ивана IV сына Федора 1458 Рождение у Ивана III сына Ивана 99 1584 Федор становится великим князем Московским 1485 Иван становится великим князем Тверским 99 1598 Смерть Фёдора 1490 Смерть Ивана 108 Иван Иванович умер 7 марта, а Федор
Из книги Тайны политических убийств автора Утченко Сергей ЛьвовичДуэль Луи Барту - Жан Жорес Операция «Тевтонский меч» была задумана и детально разработана в Берлине. Ее непосредственными организаторами были Гитлер и Геринг. А жертвой был избран министр иностранных дел Франции Луи Барту. Его имя тесно связано с историей французской
Из книги Право на репрессии: Внесудебные полномочия органов государственной безопасности (1918-1953) автора Мозохин Олег Борисович1930 год Движение обвиняемых, привлеченных по следственным делам Решения судебных и следственных органовРезультаты следственной работы 118704Перечислено за органами НКЮ и следственными органами 208069Осуждены органами ОГПУ, из них:Коллегией ОГПУ 10212особым совещанием при
Из книги Статистика репрессивной деятельности органов безопасности СССР на период с 1921 по1940 гг. автора Мозохин Олег Борисович1930-й год Движение обвиняемых, привлеченных по следственным делам ОСТАВАЛОСЬ арестованных на 1 января 1930 г. 34 959 ПРИБЫЛО арестованных за год 378 539 из них: по ОГПУ–Центру 24 881 по территориальным органам 331 544 по транспортным органам 22 114 СОСТОЯЛО в отчетном году 413
Из книги Политические портреты. Леонид Брежнев, Юрий Андропов автора Медведев Рой АлександровичКГБ и братья Жорес и Рой Медведевы Работа Жореса Медведева «Биологическая наука и культ личности. Из истории агробиологической дискуссии в СССР» была, вероятно, первой большой научно-публицистической работой, которая уже весной 1962 года разошлась в списках почти по всей
Из книги Хрущевская «оттепель» и общественные настроения в СССР в 1953-1964 гг. автора Аксютин Юрий Васильевич Из книги Троцкий против Сталина. Эмигрантский архив Л. Д. Троцкого. 1929–1932 автора Фельштинский Юрий Георгиевич1930 Письмо австрийским коммунистам Копия: Джозефу ФреюУважаемый товарищ!Вы спрашиваете совета относительно линии поведения революционных элементов австрийской социал-демократии. К сожалению, я слишком мало для этого знаю состав, цели и методы вашей группы (только на
Из книги Историческое описание одежды и вооружения российских войск. Том 14 автора Висковатов Александр Васильевич Из книги Скрытый Тибет. История независимости и оккупации автора Кузьмин Сергей Львович1930 Намсараева, 2003.
Из книги Лица века автора Кожемяко Виктор СтефановичНобелевский лауреат – с коммунистами ВЫДАЮЩИЙСЯ ФИЗИК, ЛАУРЕАТ НОБЕЛЕВСКОЙ ПРЕМИИ АКАДЕМИК ЖОРЕС АЛФЁРОВ Наверное, даже среди самых занятых людей Жорес Иванович Алфёров относится к наиболее занятым. И трудно сказать, где его главное рабочее место – в Ленинграде или в
Из книги Сталинский террор в Сибири. 1928-1941 автора Папков Сергей Андреевич1. 1930 год С точки зрения ленинизма колхозы, как и Советы, взятые как форма организации, есть оружие, и только оружие. Сталин К началу 1930 года антикулацкая атмосфера в стране была накалена до предела. Газеты переполнялись угрожающими призывами и статьями по адресу кулаков,
Из книги С.М. КИРOB Избранные статьи и речи 1916 - 1934 автора Д. Чугаева и Л. Петерсон. Из книги Всемирная история в изречениях и цитатах автора Душенко Константин Васильевичроссийский физик, лауреат Нобелевской премии 2000 года. р. 1930
Жорес Иванович Алфёров родился в белорусско-еврейской семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм в белорусском городе Витебске. Имя получил в честь Жана Жореса, международного борца против войны, основателя газеты «Юманите». После 1935 года семейство переехало на Урал, где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. Там Жорес учился с пятого по восьмой класс. 9 мая 1945 года Иван Карпович Алфёров получил направление в Минск, где Жорес окончил среднюю школу с золотой медалью. По совету учителя физики поехал поступать в Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), куда был принят без экзаменов. Он учился на факультете электронной техники.
Со студенческих лет Алфёров участвовал в научных исследованиях. На третьем курсе он пошел трудиться в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Н.Н. Созиной. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.
В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, Алфёров был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена проблема создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную индустрию. Перед лабораторией, в которой Алфёров работал младшим научным сотрудником, стояла задача: приобретение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. Алфёров участвовал в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. За комплекс проведенных работ в 1959 году он получил первую правительственную награду, в 1961 году им была защищена кандидатская диссертация.
Будучи кандидатом физико-математических наук, Алфёров мог перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана мысль использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике. Однако попытки реализовать приборы на гетеропереходах не давали практических результатов. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар. Во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении.
Алфёров продолжал технологические исследования. В основу их им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие влиять на фундаментальные параметры полупроводника: ширина запрещенной зоны, размерность электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления внутри единого монокристалла. Ж.И. Алфёров с сотрудниками создали не только гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило еще и кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и сформировать принципиально новые, в особенности перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый период исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую защитил в 1970 году.
Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. В 1972 году следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия.
С использованием технологии Алфёрова в России (впервые в мире) было организовано изготовление гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.
На основе работ Алфёрова и его сотрудников созданы полупроводниковые лазеры, работающие в широкой спектральной области. Они нашли широкое использование в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.
С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. В 1993–1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с широким диапазоном применения, известной ныне как «зонная инженерия».
В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. С 1987 по май 2003 года – директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, с мая 2003 по июль 2006 года – научный руководитель. С момента основания в 1988 году декан физико-технического факультета СПбГПУ.
В 1990–1991 годах – вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра. Академик АН СССР (1979 год), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики». Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников».
10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Современные информационные системы должны отвечать двум основополагающим требованиям: быть скоростными, чтобы громадный объем информации можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане. Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу таковой современной техники. Они открыли и развили быстрые опто– и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур. На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые обширно используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.
С 2003 года Алфёров председатель научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Часть своей Нобелевской премии Алфёров отдал на развитие научно-образовательного центра физико-технического института. «В центр приходят еще школьниками, учатся по углубленной программе, потом – институт, аспирантура, академическое образование, – рассказывает член президиума РАН, академик, директор Института радиотехники и электроники Юрий Гуляев. – Когда из страны валом начали уезжать ученые, а выпускники школ почти поголовно стали предпочитать бизнес образованию и науке – возникла страшная опасность, что знания старшего поколения ученых некому будет передать. Алфёров нашел выход и буквально совершил подвиг, создав эту своего рода теплицу для будущих ученых».
22 июля 2007 года было опубликовано «Письмо десяти академиков» («письмо десяти» или «письмо академиков») – открытое письмо десяти академиков РАН (Е. Александрова, Ж. Алфёрова, Г. Абелева, Л. Баркова, А. Воробьёва, В. Гинзбурга, С. Инге-Вечтомова, Э. Круглякова, М. Садовского, А. Черепащука) «Политика РПЦ МП: консолидация или развал страны?» Президенту России В. В. Путину. В письме выражена обеспокоенность «все возрастающей клерикализацией российского общества, активным проникновением церкви во все сферы общественной жизни», в частности в систему государственного образования. «Верить или не верить в Бога – дело совести и убеждений отдельного человека, – пишут академики. – Мы уважаем чувства верующих и не ставим своей целью борьбу с религией. Но мы не можем оставаться равнодушными, когда предпринимаются попытки подвергнуть сомнению научное Знание, вытравить из образования материалистическое видение мира, подменить знания, накопленные наукой, верой. Не следует забывать, что провозглашенный государством курс на инновационное развитие может быть осуществлён лишь в том случае, если школы и вузы вооружат молодых людей знаниями, добытыми современной наукой. Никакой альтернативы этим знаниям не существует».
Письмо вызвало огромную реакцию во всем обществе. Министр образования заявил: «Письмо академиков сыграло положительную роль, поскольку вызвало широкую общественную дискуссию, ряд представителей РПЦ придерживается такого же мнения». 13 сентября 2007 года президент России В.В. Путин заявил, что изучение в государственных школах предметов религиозной тематики нельзя делать обязательным, ибо это противоречит российской конституции.
В феврале 2008 года было опубликовано Открытое письмо представителей научной общественности к президенту РФ в связи с планами введения в школах курса «Основы православной культуры» (ОПК). К середине апреля письмо подписали более 1700 человек, из которых более 1100 имеют ученые степени (кандидаты и доктора наук). Позиция подписавшихся сводится к следующему: введение ОПК неизбежно приведет к конфликтам в школах на религиозной почве; для реализации «культурных прав» верующих нужно использовать не общеобразовательные, а уже имеющиеся в достаточных количествах воскресные школы; теология, она же богословие, не является научной дисциплиной.
С 2010 года – сопредседатель Консультативного научного Совета фонда «Сколково». Инновационный центр «Сколково» (российская «Кремниевая долина») – строящийся современный научно-технологический комплекс по разработке и коммерциализации новых технологий. В составе фонда «Сколково» существует пять кластеров, соответствующих пяти направлениям развития инновационных технологий: кластер биомедицинских технологий, кластер энергоэффективных технологий, кластер информационных и компьютерных технологий, кластер космических технологий и кластер ядерных технологий.
С 2011 – депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 6 созыва от партии КПРФ.
Учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.
В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования».
Всемирно известный российский физик Жорес Иванович Алфёров - знаменитый академик, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», лауреат Нобелевской премии.
Алфёров, Жорес Иванович - уроженец г. Витебска республики Беларусь. В 1930 году в семье идейных и последовательных коммунистов родился мальчик, никто не мог предположить, что в будущем он станет знаменитым ученым, имя которого будет связано с большими открытиями в области физики.
Старшего сына родители назвали в честь Карла Маркса, немецкого основателя экономического философского учения - Марксом, к сожалению, жизнь его была короткой, он погиб в юном возрасте на войне, в ожесточенных боях в Корсунь-Шевченковской операции. Младшему сыну досталось имя Жорес, в честь Жореса Жана одного из основателей и идейного руководителя Великой французской революции.
Жизнь семьи была на колесах, отец - «красный директор», направлялся по заданию Партии на важные участки промышленного фронта связанные с обороной страны. В годы войны отец работал в глубоком тылу в Свердловской области, там Жорес успешно закончил семь классов.
В 1945 году вся семья переехала в Минск, который был разрушен в результате сильных бомбежек. Ж.И. Алферов поступил в 42 школу и закончил ее с золотой медалью в 1948 году. Прекрасные знания в области физики, ставшие основой для его дальнейшей ученой деятельности, заложил скромный учитель физики «от бога» Я.Б. Мельцерзон.
Местом дальнейшей учебы была выбрана северная столица. Талантливый юноша без вступительных экзаменов был зачислен студентом первого курса Электротехнического института (г. Ленинград), факультет электронной техники. В 1953 году получив диплом, как перспективный студент, был оставлен работать и заниматься научными исследованиями в стенах института (лаборатория В.М. Тучкевича). С талантливой командой ученых Жорес Иванович занимался разработкой отечественных транзисторов, в наше время они используются во всех электронных приборах. В 1953 года Алферов представил первый надежный доморощенный транзистор и силовые германиевые (Ge),кремниевые (Si) приборы.
В 1961 Ж.И. Алферов защитил кандидатский минимум, который был результатом десятилетних исследований и трудов. В 1970 год, перспективный физик представил на обсуждение и блестяще защитил докторскую диссертацию, в которой все также были представлены исследования по полупроводникам. В 1972 году Алфёрову присвоено профессорское звание, а в 1973 году, он уже заведует кафедрой оптоэлектроники в родном институте, куда пришел учиться робким юношей.
1990-е. сложные для научных и исследовательских работ годы, но Алфёров не перестает заниматься наноэлектроникой, которая в будущем станет основой зонной инженерии. 10 октября 2000 года, Алферов за свою научную деятельность получил признание - ему была вручена Нобелевская премия по физике за исследовательскую работу в области полупроводников. С 2010 года ученому было предложено возглавить инновационный научный центр в Сколково, где будут все возможности для проведения научных экспериментов и опытов в области высоких компьютерных технологий, ядерных и космических отраслях, новых разработок в медицине, микробиологии, биохимии.
За свою длинную научную жизнь Ж.И. Алферов написал сотню трудов, монограмм, статей для научных конференций, журналов, книг. Получил награды в различных странах, отечественные и международные премии. Стал почетным ученым многих научных заведений и представителем международных общественных организаций. Был удостоен Орденом Ленина (1986); Орденом Октябрьской Революции (1980); Орденом Трудового Красного Знамени (1975); Орденом «Знак Почёта» (1959).
Ж.И. Алферов, является полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством»:
1999 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» III с. — за колоссальный вклад в становление и продвижение отечественной науки, и подготовку квалифицированных кадров из среды талантливой молодежи.
2000 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» II с. за научные достижения и в сфере образования и воспитания научных кадров.
2005 год - Орден «За заслуги перед Отечеством» I с. — за существенный вклад в развитие и продвижения отечественной науки и результативную общественную деятельность на пользу общества и государства.
2010 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» IV с.— за общественную и научную деятельность на благо Отечества.
Жорес Алферов изменил представление о том, что электроника - это прерогатива японцев и американцев. Такой привычный мобильный телефон, интернет по оптическому волокну, светодиоды, батареи, аккумулирующие солнечную энергию - все это благодаря использованию полупроводников полученных кропотливой работой Ж.И. Алферова и его команды ученых. Проигрыватели для компакт дисков и дисководы в компьютерах без «лазера Алферова» просто обычное железо. В наше время ученый работает над созданием современного, сверхскоростного, компактного, компьютера.
Ж.И. Алферов дважды женат. Во втором браке, имеет сына, который к огорчению отца не пошел по его стопам, а занимается бизнесом. У него две дочери родная от первого брака и приемная дочь - ребенок второй жены. Любимое место отдыха с. Комарово, дача на берегу Финского Залива.
Кавалеры ордена За заслуги перед Отечеством 1 степени.
